Skip to content

69%的零售客戶賬戶在與該投資交易平台交易差價合約時虧損。差價合約為複雜的金融產品,由於槓桿作用而存在迅速虧損的高風險。請您在交易前充分了解差價合約產品的運作方式,並評估自己能否承擔存款損失的高風險。 69%的零售客戶賬戶在與該投資交易平台交易差價合約時虧損。差價合約為複雜的金融產品,由於槓桿作用而存在迅速虧損的高風險。請您在交易前充分了解差價合約產品的運作方式,並評估自己能否承擔存款損失的高風險。

記憶體晶片股2026:AI搶購潮下,這場升浪還能衝多遠?

記憶體及硬碟股在2026年大幅飆升,皆因AI帶動的DRAM及HBM需求超越供應,惟今次升浪或未告一段落。

晶片 資料來源: Adobe images

撰文

葉蔚文 Fabien Yip

葉蔚文 Fabien Yip

IG市場分析師

發佈日期

記憶體向來是大起大落的週期性行業,但今年的升浪無論在規模或速度上均與以往截然不同。三星電子(Samsung Electronics)本週表示,預計第二季度營業利潤約89.4萬億韓圜(約590億美元),按年大增近19倍。SK海力士(SK Hynix)的美國預託證券(ADR)將於7月10日在納斯達克掛牌,集資規模預計約280億美元,是史上規模數一數二的股份發售,可能僅次於SpaceX今年6月創下的857億美元上市集資紀錄。

值得深思的問題並非記憶體行業是否具週期性,而是今次週期在結構上是否已經出現轉變。

記憶體與儲存為何重要:認識DRAM、HBM、NAND與HDD

記憶體晶片負責儲存數據,並按處理器需要供應數據。幾乎所有現代電子產品,包括手機、手提電腦、汽車、遊戲主機,都會用到記憶體晶片。記憶體亦在日益重要的、用作訓練及運行AI模型伺服器扮演重要角色。主要的記憶體及儲存裝置類型如下:

  • 動態隨機存取記憶體(DRAM):電腦的工作記憶體,暫時儲存處理器正在使用的數據,裝置關機後數據即被清除
  • 高頻寬記憶體(HBM):由多層DRAM晶粒垂直堆疊、以數千個微型通道連接而成,並緊貼處理器放置。此設計能以更快速度傳輸更龐大數據量,正好切合AI加速器處理海量數據的需求
  • 快閃記憶體(NAND):用於長期儲存數據,應用於固態硬碟(SSD)及USB隨身碟等產品,內部沒有機械式活動部件
  • 硬碟機(HDD):同屬長期儲存裝置,但以機械式磁碟讀寫數據,速度較NAND慢,惟每單位儲存容量成本較低

AI如何重塑記憶體行業:HBM需求急升導致DRAM供應緊絀

據TrendForce預測,2026年數據中心將消耗全球廠商生產的高端記憶體晶片逾七成,需求急增已促使廠商重新調整生產策略。

HBM與傳統DRAM共用相同的晶圓廠及矽晶圓,兩者之間爭奪相同產能。由於HBM的售價及利潤率明顯較高,只要產線容許,廠商均會優先生產HBM,令傳統DRAM的產能被不斷擠佔。換言之,AI需求造成HBM產能未能追上需求,而傳統DRAM卻因產能被排擠而供應日趨緊絀。

單靠擴大HBM產量以填補供應缺口並不容易。堆疊製程對精準度要求極高:晶圓須磨至極薄,而每組堆疊中數千個微型連接點必須全部運作正常,僅一個缺陷即可令整件產品報廢。這種精準度難以大規模穩定複製,令良率持續低於傳統DRAM——這也是儘管業界投資多年,供應仍未能追上需求的原因之一。

AI亦正在重塑NAND及HDD的需求。儘管兩者都不能達到HBM為AI加速器帶來的速度優勢,但AI數據中心在其他環節仍衍生龐大儲存需求,包括存放訓練數據、模型權重及推理運算結果。NAND主要透過高速企業級SSD承接相關需求,而HDD則負責較廉價、毋須即時讀取的大量「冷」數據儲存。

主要儲存裝置廠商:DRAM、NAND、HBM及HDD全球市佔一覽

三星、SK海力士及美光均涉足DRAM、NAND及HBM三大領域,惟各有側重;表中其餘廠商則專注單一儲存技術。

公司

國家

專長(全球市佔率)

備註

三星電子

南韓

DRAM(38%)、NAND(29%)、HBM(21%)

全球最大整體記憶體生產商

SK海力士

南韓

HBM(58%)、DRAM(29%)、NAND(18%)

HBM市場龍頭;7月10日於納斯達克掛牌

鎧俠(Kioxia)

日本

NAND(14%)

前東芝記憶體業務;計劃在美國上市

美光(Micron)

美國

DRAM(22%)、HBM(21%)、NAND(13%)

唯一總部設於美國的先進記憶體廠商

SanDisk

美國

NAND(13%)

純NAND業務,2025年從Western Digital 分拆

Western Digital

美國

HDD(44%)

 

希捷(Seagate)

美國

HDD(41%)

 

長鑫存儲技術

中國

DRAM(8%)

正籌備於上海科創板上市,估值約43億美元

長江存儲科技

中國

NAND(13%)

計劃於2026年稍後上市

  • 資料來源1:Counterpoint —— DRAM及HBM市佔率按2026年第一季收入計算
  • 資料來源2:Counterpoint —— NAND市佔率按2026年第一季收入計算
  • 資料來源3:Forbes —— HDD市佔率按2025年收入計算

記憶體行業向來具週期性,今次有何不同?

過去二十年,記憶體晶片行業一直遵循週期性模式:需求超過供應時價格急升,廠商爭相擴產,新增產能同時湧現,價格隨即崩潰。最近一次崩潰是在2022至2023年,美光及SK海力士因高估疫情帶動需求的持續時間,蒙受數以十億美元計的虧損。

看好今次週期表現有別以往的理據,建基於兩大結構性因素。首先,長期主導DRAM市場的三星、SK海力士及美光,資本紀律較以往週期嚴謹,不再互相競逐投機性擴產。其次,AI優化記憶體的生產難度明顯較高:美銀(Bank of America)估計,AI優化記憶體的每單位所需產能為傳統記憶體的3至4倍,而滿足相關需求所需的新增產能,亦受限於潔淨室空間、電力及用水供應等實體條件,並非單靠增加資本開支即可解決。

美銀在美光公佈最新業績後,將超級週期的預期結束時間推遲至2027年底,若按較樂觀的情境推算,週期甚至可能延續至2030年。多項數據支持此看法:美光的HBM產能已預訂至2027年;鎧俠於1月確認其2026年全年NAND產量已全數被預訂,部分大型雲端客戶更要求簽訂延伸至2027及2028年的供應協議;SK海力士董事長亦警告,全球記憶體供應到2030年料仍將較需求低約兩成。

我們認為行業固有的週期性並未消失,只是背後運作機制出現改變。訂立長期協議可提前數年鎖定價格及供應分配,而非按季度議定,令買賣雙方的能見度較以往週期大為提高。這並不代表記憶體是必升不跌的單邊交易,而是意味著週期逆轉很可能推遲,時機亦更難掌握。

記憶體及硬碟股表現遠超大市:2026年升幅驚人

記憶體股今年表現大幅跑贏半導體板塊及整體科技股。即使計及近期回調,鎧俠及SanDisk年初至今升幅仍接近600%。

以遠期市盈率計算,多數記憶體晶片廠商的估值仍然吸引,惟前提是市場相信上述已被預訂的產能及多年期合約,最終能轉化為實際收入。值得留意的是,今年股價的亮麗表現主要由盈利增長帶動,而非估值倍數擴張,這正是儘管股價升幅龐大,遠期估值仍然偏低的原因。

高利潤率反映廠商具備真正的定價能力:據TrendForce,傳統DRAM合約價於2026年第一季按季上升93%至98%,第二季再升58%至63%;NAND快閃記憶體合約價同期則分別上升85%至90%及55%至60%。

硬碟股升勢的推動因素與記憶體晶片廠商則截然不同。Western Digital的遠期市盈率於過去一年升逾一倍,由約12倍升至約29倍,Seagate的情況類似。有別於週期性較強的記憶體晶片廠商,硬碟業這個週期性較溫和的細分行業,近期獲市場重新估值,皆因投資者已將AI帶動的數據中心大量儲存需求,一併反映在估值之中。

股價表現及財務指標

股價表現及財務指標 資料來源:LSEG
股價表現及財務指標 資料來源:LSEG

除非另有說明,本文所述數據截至2026年7月7日。過往表現並不能準確預測未來表現

本信息由IG提供,IG為IG International Ltd的商業名稱。除網站下方的聲明外,本文件所含信息不包含IG(下稱:我公司)成交價格記錄,或我公司對任何金融產品的交易要約或詢價。依據本文件所發布的信息以及所表達的意見行事所造成的一切後果,我公司不予承擔任何責任。我公司對所發布信息的准確性及完整性不作任何明確或隱含的保證。任何人依賴本文件的任何信息、觀點以及數據行事須自行承擔全部風險。本文件相關研究報告中所含信息沒有考慮到特定投資目的、財政狀況或任何閱讀人士的特殊需求。本文件信息的發布沒有嚴格遵守與促進投資研究報告獨立性相關的法律法規要求,因此應僅被視為市場營銷交流行為。儘管我公司自身交易不會因提供投資意見而受到明確限制,但我公司無意利用相關信息較客戶的時間優先性而尋求利益。點擊此鏈接《非獨立研究報告免責聲明》,閱讀全文。